La Presidenta de México, Claudia Sheinbaum Pardo, anunció la creación del Centro Nacional de Diseño de Semiconductores "Kutsari", un proyecto estratégico para fortalecer el desarrollo tecnológico del país. Este centro permitirá a científicos de instituciones públicas diseñar y patentar semiconductores bajo estándares internacionales, gracias a modificaciones en la Ley Federal de Protección a la Propiedad Industrial (LFPPI).
Un centro clave para la tecnología mexicana
El Proyecto Kutsari reunirá a expertos de universidades y centros de investigación para generar diseños innovadores de semiconductores. Con las nuevas reformas a la LFPPI, el proceso de registro de patentes será más ágil, permitiendo que los diseños pasen rápidamente a producción y comercialización.
“Vamos a acelerar el proceso de patentes para que puedan venderse y combinarse con empresas públicas y privadas para su desarrollo”, destacó Sheinbaum.
Ubicación y coordinación del centro
Las sedes del Centro Nacional de Diseño de Semiconductores "Kutsari", que en purépecha significa "arena", estarán en Puebla, Jalisco y Sonora, alineadas con el Plan Sonora. Su coordinación estará a cargo del Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica (INAOE) y el Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN (CINVESTAV), con el apoyo de la UNAM e IPN.
Plan México y el desarrollo de semiconductores
El desarrollo de semiconductores forma parte del Plan México, una estrategia para impulsar la producción tecnológica nacional con inversión privada y extranjera. Este plan busca consolidar un ecosistema de innovación científica y tecnológica en el país.
Formación de talento y fabricación de semiconductores
El proyecto incluye la creación de un Programa de Capacitación Acelerada de Diseñadores, para preparar especialistas y fortalecer la industria. Además, en 2026 se definirá el modelo de fabricación de semiconductores, contemplando la posibilidad de una empresa pública, privada o mixta.
Se estima que para 2029 se concrete la construcción de una fábrica, garantizando la producción de semiconductores en México para 2030.
Protección de patentes e innovación
La LFPPI será modificada para homologarse con estándares internacionales y asegurar la protección de innovaciones. Entre los cambios clave se contempla:
- Patente provisional para garantizar derechos sobre las innovaciones.
- Derecho de apartado por 12 meses, evitando registros en otros países.
- Reducción del tiempo de trámite de patentes, pasando de más de cuatro años a solo tres.
Además, un grupo especializado analizará 48,000 patentes pendientes en el país, agilizando su proceso de aprobación.
Colaboración de instituciones y expertos
El evento contó con la participación de destacados representantes de la comunidad científica, incluyendo al director general del CINVESTAV, Alberto Sánchez Hernández, y al director del INAOE, David Sánchez de la Llave, entre otros expertos clave en el desarrollo tecnológico nacional.
Con este proyecto, México da un paso firme hacia su consolidación como potencia tecnológica, impulsando la innovación y el desarrollo de la industria de semiconductores con talento nacional.
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